me_edu
Электроника: фундаментальный курс (2–3 года)Шаг 133 из 279 · 0% пройдено
Малосигнальная модель и усиление каскада ОЭ

Крутизна и сопротивление эмиттера

Шаг 133 из 2797 минТеория
Цель

Понять основной механизм темы «Крутизна и сопротивление эмиттера» без заучивания отдельных терминов.

Как работать

Прочитайте блок один раз целиком, затем вернитесь к схеме или примеру и перескажите идею своими словами.

Критерий

Сформулированное правило, пример применения и одно ограничение метода.

База (B)Коллектор (C)Эмиттер (E)
Малосигнальная модель: транзистор как управляемый источник тока g_m·u_бэ
Опорная идея

Ключевой параметр малосигнальной модели — крутизна g_m (transconductance): на сколько меняется ток коллектора при изменении U_БЭ.

g_m = I_кп / U_т, где U_т ≈ 26 мВ при комнатной температуре (тепловой потенциал).

Удобно ввести собственное сопротивление эмиттера: r_э = 1 / g_m = U_т / I_кп.

Пример. При I_кп = 1 мА: r_э = 26 мВ / 1 мА = 26 Ом; g_m = 1/26 Ом ≈ 38 мА/В. При I_кп = 2 мА: r_э = 13 Ом.

Назад

Обсуждение

Войдите, чтобы участвовать в обсуждении.

Пока нет сообщений.