me_edu
Электроника: фундаментальный курс (2–3 года)Шаг 256 из 279 · 0% пройдено
Системы на кристалле (СнК) и закон Мура

Закон Мура и его пределы

Шаг 256 из 2798 минТеория
Цель

Понять основной механизм темы «Закон Мура и его пределы» без заучивания отдельных терминов.

Как работать

Прочитайте блок один раз целиком, затем вернитесь к схеме или примеру и перескажите идею своими словами.

Критерий

Сформулированное правило, пример применения и одно ограничение метода.

COMPARATIVE CHART · LINEAR SCALE06.413192632сред.2+0 лет4+28+416+632+8maxкатегориязначениеЧтениеmax: +8min: +0 лет×16Среднее 12 · максимум 32 · минимум 2
Удвоение числа транзисторов каждые ~2 года: рост экспоненциальный (условные единицы)
Опорная идея

В 1965 году Гордон Мур заметил: число транзисторов на кристалле удваивается примерно каждые два года. Десятилетиями это работало как самосбывающийся прогноз индустрии. Если первые процессоры содержали тысячи транзисторов, то современные крупные чипы — десятки миллиардов, а технологические нормы дошли до единиц нанометров.

Но у миниатюризации есть физические пределы. На размерах в несколько нанометров затвор транзистора всего из нескольких десятков атомов, начинают мешать квантовые эффекты (туннелирование тока через тонкий изолятор), резко растут токи утечки и тепловыделение на единицу площади. Стоимость новых фабрик измеряется десятками миллиардов долларов.

Поэтому отрасль переходит от «просто меньше» к новым приёмам: трёхмерная компоновка (этажи транзисторов и память поверх логики), сборки из нескольких кристаллов-чиплетов в одном корпусе, специализированные ускорители вместо универсальных ядер. Закон Мура в исходном виде замедлился, но рост производительности продолжается другими путями.

Назад

Обсуждение

Войдите, чтобы участвовать в обсуждении.

Пока нет сообщений.