Опорная идея
MOSFET бывает двух типов по характеру канала: • обогащённого типа (enhancement): при нулевом напряжении затвор-исток канала нет, транзистор закрыт; канал появляется, когда U_ЗИ превышает пороговое напряжение U_порог (U_th). Именно такие применяют как ключи в цифровой и силовой технике. • обеднённого типа (depletion): канал есть и при U_ЗИ = 0; напряжением на затворе его можно как обогащать, так и обеднять.
Для n-канального обогащённого MOSFET: при U_ЗИ < U_порог — закрыт; при U_ЗИ > U_порог — открыт, и чем больше превышение, тем сильнее открыт.