Опорная идея
Выходная характеристика FET имеет две области: крутую (омическую, линейную) при малом напряжении сток-исток — здесь канал ведёт себя как управляемый резистор; и пологую (область насыщения тока) — здесь ток стока почти не зависит от U_СИ и определяется напряжением на затворе.
В области насыщения для обогащённого MOSFET ток стока приближённо: I_с ≈ k · (U_ЗИ − U_порог)² (квадратичная зависимость).
Крутизна полевого транзистора: g_m = ΔI_с / ΔU_ЗИ. Она показывает, как сток реагирует на затвор, и играет ту же роль, что и в BJT: усиление каскада-усилителя на MOSFET тоже равно Ku = − g_m · R_с.